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  • VDD 電容選擇不當(dāng)導(dǎo)致的啟動(dòng)失敗問(wèn)題排查

    VDD 電容選擇不當(dāng)導(dǎo)致的啟動(dòng)失敗問(wèn)題排查

    本文通過(guò)一個(gè)STM32F103工業(yè)控制器批量生產(chǎn)時(shí)15%板卡無(wú)法啟動(dòng)的案例,分析了VDD電源去耦電容選擇不當(dāng)導(dǎo)致的問(wèn)題根源,作者發(fā)現(xiàn)客戶(hù)設(shè)計(jì)中47μF大容量去耦電容導(dǎo)致VDD上升時(shí)間超過(guò)MCU要求,提出三種解決方案(減小電容值、并聯(lián)小電阻、修改復(fù)位電路),最終...

    3.3v升壓9v電源模塊 2026-03-10 芯片常識(shí) 47 ℃ 0 評(píng)論 查看詳細(xì)
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