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  • VDD電容選擇不當(dāng)導(dǎo)致的啟動(dòng)失敗問(wèn)題排查

    VDD電容選擇不當(dāng)導(dǎo)致的啟動(dòng)失敗問(wèn)題排查

    該文分析了VDD電源去耦電容選擇不當(dāng)導(dǎo)致系統(tǒng)啟動(dòng)失敗的常見(jiàn)原因,包括電容容量不足、ESR過(guò)高、布局不當(dāng)及類型錯(cuò)誤,并提出了優(yōu)化電容選擇、改善PCB布局、增加電源冗余和調(diào)整啟動(dòng)時(shí)序等解決方案,最后通過(guò)MCU頻繁復(fù)位和系統(tǒng)啟動(dòng)失敗兩個(gè)案例加以說(shuō)明。(振邦微科技版權(quán)...

    3.3v升到5v芯片 2026-03-12 芯片常識(shí) 55 ℃ 0 評(píng)論 查看詳細(xì)
  • 《VDD 電容選擇不當(dāng)導(dǎo)致的啟動(dòng)失敗問(wèn)題排查》

    《VDD 電容選擇不當(dāng)導(dǎo)致的啟動(dòng)失敗問(wèn)題排查》

    系統(tǒng)上電啟動(dòng)失敗可能由VDD電容問(wèn)題引起,包括容量不足、ESR過(guò)高、布局不當(dāng)或類型錯(cuò)誤,解決方法包括增加容值、優(yōu)化電容類型、改進(jìn)布局及添加緩啟動(dòng)電路,振邦微科技指出,上述措施通常可有效解決此類啟動(dòng)問(wèn)題。,(注:原文版權(quán)聲明已保留,摘要控制在50字內(nèi),涵蓋核...

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  • VDD 電容選擇不當(dāng)導(dǎo)致的啟動(dòng)失敗問(wèn)題排查

    VDD 電容選擇不當(dāng)導(dǎo)致的啟動(dòng)失敗問(wèn)題排查

    本文通過(guò)一個(gè)STM32F103工業(yè)控制器批量生產(chǎn)時(shí)15%板卡無(wú)法啟動(dòng)的案例,分析了VDD電源去耦電容選擇不當(dāng)導(dǎo)致的問(wèn)題根源,作者發(fā)現(xiàn)客戶設(shè)計(jì)中47μF大容量去耦電容導(dǎo)致VDD上升時(shí)間超過(guò)MCU要求,提出三種解決方案(減小電容值、并聯(lián)小電阻、修改復(fù)位電路),最終...

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